Silicon wafer — Thermophysical Properties

In this example, the thermophysical properties of a silicon wafer were measured with the LFA 457 MicroFlash®. In the temperature range from -100°C to 500°C, the thermal conductivity and thermal diffusivity continuously decrease.
Determination of the specific heat was carried out with the DSC 204 F1 Phoenix®. The standard deviation of the data points is < 1%.

LFA and DSC measurement of a silicon wafer between -100°C and 500°C.LFA and DSC measurement of a silicon wafer between -100°C and 500°C.
DSC 204 F1 Phoenix®

Une très haute sensibilité et une très haute résolution peuvent être atteintes avec ce DSC (Calorimètre Différentiel à Balayage) haut de gamme, qui peut aussi être équipé d’un passeur d’échantillon (ASC), de la modulation en température (TM-DSC), de l’optimisation de la ligne de base (BeFlat®), la correction de la résistance thermique et de la constante de temps (DSC-Correction), ainsi que d’un couplage à un QMS et un FTIR et enfin d’une extension UV pour la photo calorimétrie.

LFA 457 MicroFlash® pour la détermination de la diffusivité et de la conductivité thermique

Le LFA 457 MicroFlash® est l’instrument le plus moderne pour la détermination de la diffusivité et de la conductivité thermique dans une gamme de température allant de -125°C à 1100°C. Sa construction compacte et étanche au vide, son passeur automatique d’échantillons et son logiciel fonctionnel garantissent la plus haute efficacité dans la caractérisation des matériaux.