Silicon wafer — Thermophysical Properties

In this example, the thermophysical properties of a silicon wafer were measured with the LFA 457 MicroFlash®. In the temperature range from -100°C to 500°C, the thermal conductivity and thermal diffusivity continuously decrease.
Determination of the specific heat was carried out with the DSC 204 F1 Phoenix®. The standard deviation of the data points is < 1%.

LFA and DSC measurement of a silicon wafer between -100°C and 500°C.LFA and DSC measurement of a silicon wafer between -100°C and 500°C.
DSC 204 F1 Phoenix® (ДСК)

ДСК высокой чувствительности и разрешения. Автоматическая смена образцов (ASC), температурная модуляция (TM-ДСК), оптимизация базовой линии (BeFlat®), коррекция термического сопротивления и констант времени прибора ((ДСК-коррекция), возможно сопряжение с квадрупольным масс-спектрометром и ИК-спектрометром с Фурье преобразованием.

LFA 457 MicroFlash®

Прибор LFA 457 MicroFlash® представляет собой одну из наших последних разработок и позволяет проводить определение температуро- и теплопроводности в диапазоне температур от -125°C до 1100°C. Компактная и герметичная конструкция прибора, устройство автоматической смены образцов и функциональное программное обеспечение являются гарантией высокой эффективности работы при решении наиболее сложных задач измерения теплопроводности материалов.